PSMN7R6-60XSQ
PSMN7R6-60XSQ
Modelo do Produto:
PSMN7R6-60XSQ
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 60V TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17147 Pieces
Ficha de dados:
PSMN7R6-60XSQ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.6V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220F-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7.8 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):46W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Outros nomes:568-12475
934069171127
PSMN7R6-60XS,127
PSMN7R6-60XSQ-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PSMN7R6-60XSQ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2651pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:38.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 51.5A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V TO220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:51.5A (Tc)
Email:[email protected]

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