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PSMN8R5-108ESQ
- Modelo do Produto:
- PSMN8R5-108ESQ
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15403 Pieces
- Ficha de dados:
- PSMN8R5-108ESQ.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para PSMN8R5-108ESQ, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para PSMN8R5-108ESQ por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | I2PAK |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 263W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | 568-11432-5 934068134127 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | PSMN8R5-108ESQ |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5512pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 111nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 108V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 108V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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