PSMN9R0-30YL,115
PSMN9R0-30YL,115
Modelo do Produto:
PSMN9R0-30YL,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15603 Pieces
Ficha de dados:
PSMN9R0-30YL,115.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.15V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:LFPAK56, Power-SO8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):46W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-100, SOT-669
Outros nomes:568-4687-2
934063067115
PSMN9R0-30YL T/R
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PSMN9R0-30YL,115
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1006pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 61A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:61A (Tc)
Email:[email protected]

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