QS8J2TR
QS8J2TR
Modelo do Produto:
QS8J2TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12310 Pieces
Ficha de dados:
QS8J2TR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:TSMT8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:36 mOhm @ 4A, 4.5V
Power - Max:550mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:QS8J2TR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1940pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate, 1.5V Drive
Descrição expandida:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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