QS8M13TCR
QS8M13TCR
Modelo do Produto:
QS8M13TCR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16491 Pieces
Ficha de dados:
QS8M13TCR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:TSMT8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:28 mOhm @ 6A, 10V
Power - Max:1.5W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:QS8M13TCRTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:QS8M13TCR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:390pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A, 5A
Email:[email protected]

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