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RBE1VAM20ATR
- Modelo do Produto:
- RBE1VAM20ATR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2M
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13705 Pieces
- Ficha de dados:
- RBE1VAM20ATR.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RBE1VAM20ATR, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RBE1VAM20ATR por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 530mV @ 1A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 20V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TUMD2M |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 2-SMD, Flat Lead |
| Outros nomes: | RBE1VAM20ATRTR RBE1VAM20ATRTR-ND |
| Temperatura de Operação - Junção: | 125°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | RBE1VAM20ATR |
| Descrição expandida: | Diode Schottky 20V 1A Surface Mount TUMD2M |
| Tipo Diode: | Schottky |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2M |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 200µA @ 20V |
| Atual - rectificada média (Io): | 1A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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