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RD0306T-H
- Modelo do Produto:
- RD0306T-H
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 600V 3A TP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17776 Pieces
- Ficha de dados:
- RD0306T-H.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RD0306T-H, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RD0306T-H por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.5V @ 3A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TP |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 50ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de Operação - Junção: | 150°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | RD0306T-H |
| Descrição expandida: | Diode Standard 600V 3A Through Hole TP |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 600V 3A TP |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 3A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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