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RDR005N25TL
- Modelo do Produto:
- RDR005N25TL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16382 Pieces
- Ficha de dados:
- RDR005N25TL.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RDR005N25TL, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RDR005N25TL por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TSMT3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8.8 Ohm @ 250mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 540mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-96 |
| Outros nomes: | RDR005N25TLTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | RDR005N25TL |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 70pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 250V 500mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 250V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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