RF4C050APTR
RF4C050APTR
Modelo do Produto:
RF4C050APTR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14752 Pieces
Ficha de dados:
RF4C050APTR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):-8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-HUML2020L8 (2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:26 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerUDFN
Outros nomes:RF4C050APTRDKR
RF4C050APTRDKR-ND
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RF4C050APTR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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