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RFN1L6STE25
- Modelo do Produto:
- RFN1L6STE25
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15492 Pieces
- Ficha de dados:
- RFN1L6STE25.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RFN1L6STE25, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RFN1L6STE25 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.45V @ 800mA |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PMDS |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 35ns |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DO-214AC, SMA |
| Outros nomes: | RFN1L6STE25TR |
| Temperatura de Operação - Junção: | 150°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 20 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | RFN1L6STE25 |
| Descrição expandida: | Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 800mA |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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