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RFUH10NS6STL
- Modelo do Produto:
- RFUH10NS6STL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13367 Pieces
- Ficha de dados:
- RFUH10NS6STL.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RFUH10NS6STL, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RFUH10NS6STL por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 2.8V @ 10A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | LPDS |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 25ns |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes: | RFUH10NS6STLDKR |
| Temperatura de Operação - Junção: | 150°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | RFUH10NS6STL |
| Descrição expandida: | Diode Standard 600V 10A Surface Mount LPDS |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 10A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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