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RGT8NS65DGTL
- Modelo do Produto:
- RGT8NS65DGTL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- IGBT 650V 8A 65W TO-263S
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15578 Pieces
- Ficha de dados:
- RGT8NS65DGTL.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RGT8NS65DGTL, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RGT8NS65DGTL por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 4A |
| Condição de teste: | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 17ns/69ns |
| Alternando Energia: | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | LPDS (TO-263S) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 40ns |
| Power - Max: | 65W |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes: | RGT8NS65DGTLDKR |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 15 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | RGT8NS65DGTL |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Trench Field Stop |
| portão de carga: | 13.5nC |
| Descrição expandida: | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 65W Surface Mount LPDS (TO-263S) |
| Descrição: | IGBT 650V 8A 65W TO-263S |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 12A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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