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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > RJH1BF6RDPQ-80#T2
RJH1BF6RDPQ-80#T2
RJH1BF6RDPQ-80#T2
Modelo do Produto:
RJH1BF6RDPQ-80#T2
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
IGBT 1100V 55A 227.2W TO247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18548 Pieces
Ficha de dados:
RJH1BF6RDPQ-80#T2.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1100V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.7V @ 15V, 55A
Condição de teste:-
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:-
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:-
Power - Max:227.2W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:RJH1BF6RDPQ-80#T2
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
Descrição expandida:IGBT 1100V 55A 227.2W Through Hole TO-247
Descrição:IGBT 1100V 55A 227.2W TO247
Atual - Collector Pulsada (ICM):-
Atual - Collector (Ic) (Max):55A
Email:[email protected]

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