RJK6020DPK-00#T0
RJK6020DPK-00#T0
Modelo do Produto:
RJK6020DPK-00#T0
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16166 Pieces
Ficha de dados:
RJK6020DPK-00#T0.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:175 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):200W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:RJK6020DPK-00#T0
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5150pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:121nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 32A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:32A (Ta)
Email:[email protected]

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