RJL6013DPE-00#J3
RJL6013DPE-00#J3
Modelo do Produto:
RJL6013DPE-00#J3
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18484 Pieces
Ficha de dados:
RJL6013DPE-00#J3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-LDPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:810 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):100W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-83
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:RJL6013DPE-00#J3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 11A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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