RJM0603JSC-00#13
Modelo do Produto:
RJM0603JSC-00#13
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12375 Pieces
Ficha de dados:
RJM0603JSC-00#13.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:20-HSOP
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 10A, 10V
Power - Max:54W
Embalagem:-
Caixa / Gabinete:20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Temperatura de operação:175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:RJM0603JSC-00#13
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Característica FET:Logic Level Gate, 4.5V Drive
Descrição expandida:Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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