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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > RJP65T43DPQ-A0#T2
RJP65T43DPQ-A0#T2
Modelo do Produto:
RJP65T43DPQ-A0#T2
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
IGBT - 650V/30A/TO-247A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18702 Pieces
Ficha de dados:
RJP65T43DPQ-A0#T2.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.4V @ 15V, 20A
Condição de teste:400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:35ns/105ns
Alternando Energia:170µJ (on), 130µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247A
Série:-
Power - Max:150W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:RJP65T43DPQ-A0#T2
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench
portão de carga:69nC
Descrição expandida:IGBT Trench 650V 60A 150W Through Hole TO-247A
Descrição:IGBT - 650V/30A/TO-247A
Atual - Collector Pulsada (ICM):-
Atual - Collector (Ic) (Max):60A
Email:[email protected]

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