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RN1102MFV,L3F
- Modelo do Produto:
- RN1102MFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14737 Pieces
- Ficha de dados:
- RN1102MFV,L3F.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RN1102MFV,L3F, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RN1102MFV,L3F por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | VESM |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | 10k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 10k |
| Power - Max: | 150mW |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | SOT-723 |
| Outros nomes: | RN1102MFV(TL3T)DKR RN1102MFV(TL3T)DKR-ND RN1102MFVL3F(BDKR RN1102MFVL3F(BDKR-ND RN1102MFVL3FDKR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | RN1102MFV,L3F |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| Descrição: | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 50 @ 10mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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