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RN1113(T5L,F,T)
- Modelo do Produto:
- RN1113(T5L,F,T)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13512 Pieces
- Ficha de dados:
- RN1113(T5L,F,T).pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SSM |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | - |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 47k |
| Power - Max: | 100mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-75, SOT-416 |
| Outros nomes: | RN1113(T5LFT)TR RN1113T5LFT |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | RN1113(T5L,F,T) |
| Frequência - Transição: | 250MHz |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
| Descrição: | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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