RN1314(TE85L,F)
RN1314(TE85L,F)
Modelo do Produto:
RN1314(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14681 Pieces
Ficha de dados:
RN1314(TE85L,F).pdf

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RN1314(TE85L,F), temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RN1314(TE85L,F) por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar RN1314(TE85L,F) com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:USM
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):1k
Power - Max:100mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:RN1314(TE85LF)
RN1314(TE85LF)-ND
RN1314(TE85LF)TR
RN1314TE85LF
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:RN1314(TE85L,F)
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações