RN1425TE85LF
RN1425TE85LF
Modelo do Produto:
RN1425TE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16668 Pieces
Ficha de dados:
RN1425TE85LF.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:S-Mini
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):470
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:RN1425(TE85L,F)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Número de peça do fabricante:RN1425TE85LF
Frequência - Transição:300MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:90 @ 100mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):800mA
Email:[email protected]

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