RN1610(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende RN1610(TE85L,F)

RN1610(TE85L,F)

Modelo do Produto:: RN1610(TE85L,F)

Fabricante:: Toshiba Semiconductor

Descrição:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Status sem chumbo / Status RoHS:: Sem chumbo / acordo com RoHS

Quantidade disponível:: 17698 Pieces

Ficha de dados:: RN1610(TE85L,F).pdf

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):	50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:	SM6
Série:	-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):	-
Resistor - Base (R1) (Ohms):	4.7k
Power - Max:	300mW
Embalagem:	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:	SC-74, SOT-457
Outros nomes:	RN1610(TE85LF)TR
Tipo de montagem:	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):	1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:	RN1610(TE85L,F)
Frequência - Transição:	250MHz
Descrição expandida:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Descrição:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:	120 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

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