RN1970FE(TE85L,F)
RN1970FE(TE85L,F)
Modelo do Produto:
RN1970FE(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19523 Pieces
Ficha de dados:
RN1970FE(TE85L,F).pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):-
Resistor - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:100mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:RN1970FE(TE85LF)TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:RN1970FE(TE85L,F)
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Descrição:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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