RN4986FE,LF(CB
RN4986FE,LF(CB
Modelo do Produto:
RN4986FE,LF(CB
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16488 Pieces
Ficha de dados:
RN4986FE,LF(CB.pdf

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RN4986FE,LF(CB, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RN4986FE,LF(CB por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar RN4986FE,LF(CB com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:100mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:RN4986FE(T5L,F,T)
RN4986FE(T5LFT)TR
RN4986FE(T5LFT)TR-ND
RN4986FE,LF(CT
RN4986FELF(CBTR
RN4986FELF(CTTR
RN4986FELF(CTTR-ND
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:RN4986FE,LF(CB
Frequência - Transição:250MHz, 200MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Descrição:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações