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RQ3E120GNTB
- Modelo do Produto:
- RQ3E120GNTB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14219 Pieces
- Ficha de dados:
- RQ3E120GNTB.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RQ3E120GNTB, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RQ3E120GNTB por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-HSMT (3.2x3) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8.8 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2W (Ta), 16W (Tc) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes: | RQ3E120GNTBDKR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | RQ3E120GNTB |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 590pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 30V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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