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RR2L6SDDTE25
- Modelo do Produto:
- RR2L6SDDTE25
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15299 Pieces
- Ficha de dados:
- RR2L6SDDTE25.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RR2L6SDDTE25, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RR2L6SDDTE25 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.1V @ 2A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PMDS |
| Velocidade: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DO-214AC, SMA |
| Outros nomes: | RR2L6SDDTE25TR |
| Temperatura de Operação - Junção: | 150°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 20 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | RR2L6SDDTE25 |
| Descrição expandida: | Diode Standard 600V 2A Surface Mount PMDS |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 2A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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