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RRE02VS6SGTR
- Modelo do Produto:
- RRE02VS6SGTR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19889 Pieces
- Ficha de dados:
- RRE02VS6SGTR.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.1V @ 200mA |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TUMD2S |
| Velocidade: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 2-SMD, Flat Lead |
| Temperatura de Operação - Junção: | 150°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | RRE02VS6SGTR |
| Descrição expandida: | Diode Standard 600V 200mA Surface Mount TUMD2S |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 200mA |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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