RSU002N06T106
RSU002N06T106
Modelo do Produto:
RSU002N06T106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12631 Pieces
Ficha de dados:
1.RSU002N06T106.pdf2.RSU002N06T106.pdf3.RSU002N06T106.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipação de energia (Max):200mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:RSU002N06T106-ND
RSU002N06T106TR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:RSU002N06T106
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:15pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:250mA (Ta)
Email:[email protected]

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