RU1E002SPTCL
RU1E002SPTCL
Modelo do Produto:
RU1E002SPTCL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18694 Pieces
Ficha de dados:
RU1E002SPTCL.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT3F
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.4 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipação de energia (Max):200mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-85
Outros nomes:RU1E002SPTCLTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RU1E002SPTCL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:30pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3F
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:250mA (Ta)
Email:[email protected]

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