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SCT2H12NYTB
- Modelo do Produto:
- SCT2H12NYTB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17087 Pieces
- Ficha de dados:
- SCT2H12NYTB.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SCT2H12NYTB, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SCT2H12NYTB por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 410µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +22V, -6V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-268 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Dissipação de energia (Max): | 44W (Tc) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Outros nomes: | SCT2H12NYTBDKR |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 15 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SCT2H12NYTB |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 184pF @ 800V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 18V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 1700V (1.7kV) 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 18V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
| Descrição: | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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