SH8J31GZETB
Modelo do Produto:
SH8J31GZETB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13042 Pieces
Ficha de dados:
SH8J31GZETB.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:70 mOhm @ 4.5A, 10V
Power - Max:2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SH8J31GZETBTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:SH8J31GZETB
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:-
Descrição expandida:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

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