Comprar SI1071X-T1-E3 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 1.45V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | SC-89-6 |
Série: | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 167 mOhm @ 960mA, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 236mW (Ta) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
Outros nomes: | SI1071X-T1-E3TR |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | SI1071X-T1-E3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 315pF @ 15V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13.3nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | P-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
Descrição: | MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |