SI2314EDS-T1-E3
Modelo do Produto:
SI2314EDS-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13559 Pieces
Ficha de dados:
SI2314EDS-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):750mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:SI2314EDS-T1-E3TR
SI2314EDST1E3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SI2314EDS-T1-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 3.77A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.77A (Ta)
Email:[email protected]

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