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SI2365EDS-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17954 Pieces
- Ficha de dados:
- SI2365EDS-T1-GE3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SI2365EDS-T1-GE3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SI2365EDS-T1-GE3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-236 |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 32 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | SI2365EDS-T1-GE3TR SI2365EDST1GE3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 24 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SI2365EDS-T1-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 8V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 20V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount TO-236 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.8V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 5.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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