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SI3430DV-T1-E3
- Modelo do Produto:
- SI3430DV-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17159 Pieces
- Ficha de dados:
- SI3430DV-T1-E3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SI3430DV-T1-E3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SI3430DV-T1-E3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-TSOP |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 170 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.14W (Ta) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Outros nomes: | SI3430DV-T1-E3DKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 24 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SI3430DV-T1-E3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 6V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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