SI4874BDY-T1-E3
Modelo do Produto:
SI4874BDY-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15201 Pieces
Ficha de dados:
SI4874BDY-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SI4874BDY-T1-E3TR
SI4874BDYT1E3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Número de peça do fabricante:SI4874BDY-T1-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3230pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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