Comprar SI4925DDY-T1-GE3 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 29 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Power - Max: | 5W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | SI4925DDY-T1-GE3-ND SI4925DDY-T1-GE3TR SI4925DDYT1GE3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 15 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SI4925DDY-T1-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Standard |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 5W Surface Mount 8-SO |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |