SI5486DU-T1-E3
SI5486DU-T1-E3
Modelo do Produto:
SI5486DU-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15708 Pieces
Ficha de dados:
SI5486DU-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 31W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:SI5486DU-T1-E3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SI5486DU-T1-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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