Comprar SI5975DC-T1-GE3 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 1mA (Min) |
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Embalagem do dispositivo fornecedor: | 1206-8 ChipFET™ |
Série: | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Power - Max: | 1.1W |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | 8-SMD, Flat Lead |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | SI5975DC-T1-GE3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 4.5V |
Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET: | Logic Level Gate |
Descrição expandida: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 12V |
Descrição: | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.1A |
Email: | [email protected] |