SI6415DQ-T1-E3
Modelo do Produto:
SI6415DQ-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17984 Pieces
Ficha de dados:
SI6415DQ-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSSOP
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:19 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Outros nomes:SI6415DQ-T1-E3TR
SI6415DQT1E3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Número de peça do fabricante:SI6415DQ-T1-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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