SI6435ADQ-T1-E3
Modelo do Produto:
SI6435ADQ-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13770 Pieces
Ficha de dados:
SI6435ADQ-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSSOP
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:30 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.05W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Outros nomes:SI6435ADQ-T1-E3DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SI6435ADQ-T1-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 4.7A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.7A (Ta)
Email:[email protected]

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