SI7224DN-T1-GE3
SI7224DN-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI7224DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12377 Pieces
Ficha de dados:
SI7224DN-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8 Dual
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:35 mOhm @ 6.5A, 10V
Power - Max:17.8W, 23W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8 Dual
Outros nomes:SI7224DN-T1-GE3TR
SI7224DNT1GE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Número de peça do fabricante:SI7224DN-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 17.8W, 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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