Comprar SI7232DN-T1-GE3 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
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Embalagem do dispositivo fornecedor: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Série: | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V |
Power - Max: | 23W |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Outros nomes: | SI7232DN-T1-GE3TR SI7232DNT1GE3 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 24 Weeks |
Número de peça do fabricante: | SI7232DN-T1-GE3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1220pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 8V |
Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET: | Logic Level Gate |
Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 25A 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
Descrição: | MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 25A |
Email: | [email protected] |