SI8466EDB-T2-E1
SI8466EDB-T2-E1
Modelo do Produto:
SI8466EDB-T2-E1
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13246 Pieces
Ficha de dados:
SI8466EDB-T2-E1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:700mV @ 250µA
Vgs (Max):±5V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-Microfoot
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:43 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:4-UFBGA, WLCSP
Outros nomes:SI8466EDB-T2-E1TR
SI8466EDBT2E1
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Número de peça do fabricante:SI8466EDB-T2-E1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 4V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 8V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):8V
Descrição:MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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