SI8806DB-T2-E1
SI8806DB-T2-E1
Modelo do Produto:
SI8806DB-T2-E1
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18319 Pieces
Ficha de dados:
SI8806DB-T2-E1.pdf

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SI8806DB-T2-E1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SI8806DB-T2-E1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar SI8806DB-T2-E1 com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-Microfoot
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:43 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:4-XFBGA
Outros nomes:SI8806DB-T2-E1TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:SI8806DB-T2-E1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 12V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações