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SI8902EDB-T2-E1
- Modelo do Produto:
- SI8902EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14751 Pieces
- Ficha de dados:
- SI8902EDB-T2-E1.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 980µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-Micro Foot™ |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | - |
| Power - Max: | 1W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-MICRO FOOT®CSP |
| Outros nomes: | SI8902EDB-T2-E1TR SI8902EDBT2E1 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 24 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SI8902EDB-T2-E1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.9A |
| Email: | [email protected] |
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