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Casa > Produtos > IC de gerenciamento de energia > IC de gerenciamento de energia - Drivers de porta > SI9912DY-T1-E3
SI9912DY-T1-E3
Modelo do Produto:
SI9912DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14224 Pieces
Ficha de dados:
SI9912DY-T1-E3.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - Fornecimento:4.5 V ~ 5.5 V
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
Aumento / tempo de queda (típico):30ns, 20ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-40°C ~ 125°C (TJ)
Frequência de entrada:2
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SI9912DY-T1-E3
Tensão lógica - VIL, VIH:-
Tipo de entrada:Non-Inverting
High Voltage Side - Max (Bootstrap):30V
Tipo de portão:N-Channel MOSFET
Descrição expandida:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
Configuração Driven:Half-Bridge
Descrição:IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
Corrente - Saída de Pico (Fonte, Pia):1A, 1A
Base-saturação do emissor Tensão (Max):Synchronous
Email:[email protected]

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