SIE806DF-T1-GE3
SIE806DF-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIE806DF-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15636 Pieces
Ficha de dados:
SIE806DF-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:10-PolarPAK® (L)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.7 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):5.2W (Ta), 125W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:10-PolarPAK® (L)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SIE806DF-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:250nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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