Comprar SIR888DP-T1-GE3 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | PowerPAK® SO-8 |
Série: | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.25 mOhm @ 15A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 5W (Ta), 48W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | PowerPAK® SO-8 |
Outros nomes: | SIR888DP-T1-GE3TR SIR888DPT1GE3 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | SIR888DP-T1-GE3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5065pF @ 15V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 25V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 25V |
Descrição: | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |