SIZF906DT-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIZF906DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12515 Pieces
Ficha de dados:
SIZF906DT-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAIR® 6x5F
Série:TrenchFET® Gen IV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Power - Max:38W (Tc), 83W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:SiZF906DT-T1-GE3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:19 Weeks
Número de peça do fabricante:SIZF906DT-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAIR® 6x5F
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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